ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน
รหัสดีโอไอ
Title ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน
Creator ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล
Publisher จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,
Publication Year 2547
Keyword ฟิล์มบาง, อิเล็กตรอน
ISBN 974-17-6673-4
Chulalongkorn University

บรรณานุกรม

EndNote

APA

Chicago

MLA

ดิจิตอลไฟล์

DOI Smart-Search
สวัสดีค่ะ ยินดีให้บริการสอบถาม และสืบค้นข้อมูลตัวระบุวัตถุดิจิทัล (ดีโอไอ) สำนักการวิจัยแห่งชาติ (วช.) ค่ะ