ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล. (2547) ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,:ม.ป.ท.ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล. 2547. ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. ม.ป.ท.:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย,;ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล. ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. ม.ป.ท.:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547. Print.