|
การจำลองโครงสร้างภายใต้ภาวะความดันสูงของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์และสารประกอบสามธาตุ IB-III-VI₂ |
|---|---|
| รหัสดีโอไอ | |
| Title | การจำลองโครงสร้างภายใต้ภาวะความดันสูงของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์และสารประกอบสามธาตุ IB-III-VI₂ |
| Creator | ทวีสิน ฤกษ์ขจรนามกุล |
| Contributor | ธิติ บวรรัตนารักษ์, โศจิพงศ์ ฉัตราภรณ์ |
| Publisher | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| Publication Year | 2554 |
| Keyword | ความดันสูง (วิทยาศาสตร์) -- การจำลองระบบ, คอปเปอร์อินเดียมซิลิไนด์ -- การวิเคราะห์, คอปเปอร์อินเดียมซิลิไนด์ -- โครงสร้าง |
| Abstract | คอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์ (CIGS : CuIn₁₋ₓGaxSe₂) เป็นตัวดูดกลืนแสงที่มีประสิทธิภาพสูงและได้มีการศึกษาทางด้านสมบัติมาตลอดระยะเวลากว่า 20 ปี อย่างไรก็ตามงานวิจัยที่ศึกษาสมบัติทางฟิสิกส์ภายใต้ภาวะรุนแรงและการวิเคราะห์ในเชิงลึกยังมีน้อยมากเมื่อเปรียบเทียบกับสารกึ่งตัวนำอื่นๆ ที่มีการนำมาผลิตเป็นเซลล์สุริยะเช่นซิลิกอน ในงานวิจัยนี้ การเปลี่ยนเฟสโครงสร้างและสมบัติเชิงฟิสิกส์ของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ (CIS : CuInSe₂) รวมไปถึงสารประกอบ IB-III-VI₂ อื่นๆ ได้ศึกษาภายใต้ภาวะความดันสูง โดยใช้ทฤษฎีฟังก์ชันนัลความหนาแน่น (DFT : Density Functional Theory) การจำลองนี้ได้ดำเนินการโดยใช้โปรแกรม CASTEP พลังงานรวมของโครงสร้างภายใต้ภาวะความดันสูงได้คำนวณเพื่อหาโครงสร้างที่เสถียรด้วยเงื่อนไขทางอุณหพลศาสตร์แบบเจาะจง |
| URL Website | cuir.car.chula.ac.th |
