<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml><bibliography><APA>วรวุฒิ  มรรคเจริญ และ กมลวรรณ  บุญพิลา. (2555) อิทธิพลของเงื่อนไขในการเตรียมฟิล์มบางของ Ca Cu3Ti4 O12 และผลของธาตุเติมแต่งต่อสมบัติทางกายภาพและสมบัติทางไฟฟ้าเพื่อการประยุกต์ใช้เป็นหน่วยความจำแบบตัวต้านทานแบบสุ่ม. สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง:ม.ป.ท.</APA><Chicago>วรวุฒิ  มรรคเจริญ และ กมลวรรณ  บุญพิลา. 2555. อิทธิพลของเงื่อนไขในการเตรียมฟิล์มบางของ Ca Cu3Ti4 O12 และผลของธาตุเติมแต่งต่อสมบัติทางกายภาพและสมบัติทางไฟฟ้าเพื่อการประยุกต์ใช้เป็นหน่วยความจำแบบตัวต้านทานแบบสุ่ม. ม.ป.ท.:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง;</Chicago><MLA>วรวุฒิ  มรรคเจริญ และ กมลวรรณ  บุญพิลา.  อิทธิพลของเงื่อนไขในการเตรียมฟิล์มบางของ Ca Cu3Ti4 O12 และผลของธาตุเติมแต่งต่อสมบัติทางกายภาพและสมบัติทางไฟฟ้าเพื่อการประยุกต์ใช้เป็นหน่วยความจำแบบตัวต้านทานแบบสุ่ม.  ม.ป.ท.:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง, 2555. Print.</MLA></bibliography></xml>
