สุขุม อิสเสงี่ยม และผู้แต่งคนอื่นๆ. (2552) วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:ม.ป.ท.สุขุม อิสเสงี่ยม และผู้แต่งคนอื่นๆ. 2552. วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. ม.ป.ท.:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่;สุขุม อิสเสงี่ยม และผู้แต่งคนอื่นๆ. วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. ม.ป.ท.:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่, 2552. Print.